[18p-235-1~14] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[18p-235-2] イオン注入基板によるGe_1-x-ySi_xSn_yエピタキシャル層の歪緩和促進

〇祖父江 秀隆¹、福田 雅大¹、中塚 理^1,2、財満 鎭明³ (1.名古屋大院工、2.名古屋大未来研、3.名古屋大未来社会創造機構)

キーワード：GeSiSn、歪緩和