[18p-431B-1~12] 【CS.7】 Code-sharing Session of 6.5 & 7.6

[18p-431B-11] The annealing effect for the air-exposed surface on the GaN semiconductor photocathode

〇(D)Daiki Sato¹, Tomohiro Nishitani², Yoshio Honda², Hiroshi Amano² (1.Nagoya Univ., 2.IMaSS, Nagoya Univ.)

Keywords:NEA semiconductor photocathode, electron source, surface

本研究では、従来、超高真空など良質な真空環境が不可欠とされてきた半導体フォトカソードの大気暴露とその表面の真空下での加熱処理の影響を、GaN半導体フォトカソードについて放射光を用いたX線光電子分光装置により表面観測した。その結果、加熱処理により、負性電子親和力表面の真空準位の低下と光電子量の増加を確認した。