[18p-431B-1~12] 【CS.7】 6.5 表面物理・真空, 7.6 原子・分子線およびビーム関連新技術のコードシェアセッション

[18p-431B-11] 大気暴露したGaN半導体フォトカソードの加熱処理に伴う表面状態の光電子分光観測

〇(D)佐藤 大樹¹、西谷 智博²、本田 善央²、天野 浩² (1.名大院工、2.名大IMaSS)

キーワード：NEA半導体フォトカソード、電子源、表面

本研究では、従来、超高真空など良質な真空環境が不可欠とされてきた半導体フォトカソードの大気暴露とその表面の真空下での加熱処理の影響を、GaN半導体フォトカソードについて放射光を用いたX線光電子分光装置により表面観測した。その結果、加熱処理により、負性電子親和力表面の真空準位の低下と光電子量の増加を確認した。