[18p-PA5-1~28] 12.4 Organic light-emitting devices and organic transistors

[18p-PA5-18] Thermal stability of solution processable n-type organic semiconductor

〇Kazunori Kuribara¹, Taiki Nobeshima¹, Atsushi Takei¹, Takehito Kozasa¹, Sei Uemura¹, Manabu Yoshida¹ (1.AIST)

Keywords:Passivation layer, Low voltage, Solutinon processable semiconductor

本発表では塗布でも利用可能なn型半導体TU-1で2 V駆動の薄膜トランジスタを作製し、その加熱安定性を評価した。その結果、パリレンCによる封止を行った素子よりも行わなかった素子の耐熱性が高く、120℃加熱後も移動度は初期値の12％の劣化に留まることがわかった。一方で封止を行ったものは初期値の34％の劣化が起きた。これは既に報告されているDNTTとは逆の傾向であったためこれを報告する。