[18p-PA5-1~28] 12.4 有機EL・トランジスタ

[18p-PA5-18] 塗布型n型半導体の熱安定性評価

〇栗原 一徳¹、延島 大樹¹、武居 淳¹、小笹 健仁¹、植村 聖¹、吉田 学¹ (1.産総研)

キーワード：封止膜、低電圧、塗布型半導体

本発表では塗布でも利用可能なn型半導体TU-1で2 V駆動の薄膜トランジスタを作製し、その加熱安定性を評価した。その結果、パリレンCによる封止を行った素子よりも行わなかった素子の耐熱性が高く、120℃加熱後も移動度は初期値の12％の劣化に留まることがわかった。一方で封止を行ったものは初期値の34％の劣化が起きた。これは既に報告されているDNTTとは逆の傾向であったためこれを報告する。