[18p-PA6-1~30] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[18p-PA6-11] AlGaN/GaN HEMTのドレイン電流MCTS信号の光パルス幅依存性

〇(M1)田村 和也¹、徳田 豊¹、Foo Siew Chuen²、Ng Geok Ing²、Dharmarasu Nethaji²、K Radhakrishnan²、Arulkumaran Subramaniam^2,3 (1.愛知工大、2.ナンヤン工科大学、3.名古屋大学)

キーワード：HEMT、MCTS