[18p-PA6-1~30] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[18p-PA6-13] 表面処理方法がβ-Ga₂O₃/Al₂O₃/Pt MOSキャパシタの電気特性へ及ぼす影響

〇(B)廣瀬 雅史^1,2、生田目 俊秀²、弓削 雅津也^1,2、前田 瑛里香^1,2、大井 暁彦²、池田 直樹²、色川 芳宏²、小出 康夫²、大石 知司¹ (1.芝浦工大、2.物材機構)

キーワード：Ga2O3、MOSキャパシタ

β-Ga₂O₃基板の表面処理としてSPM及びBHF溶液を用いた２種類の処理方法による β-Ga₂O₃/Al₂O_3/Pt MOSキャパシタの電気特性への影響を調査した。BHF処理したキャパシタのV_fb及びV_fbヒステリシスはSPMよりも正のシフト及び、増大が認められた。これよりBHFによってβ-Ga₂O₃/Al₂O₃界面に欠陥が増えたことが示唆される。β-Ga₂O₃基板の表面粗さはBHF処理で増大しており、この粗さがV_fb等に影響を及ぼしたと考えられる。