[18p-PA6-1~30] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[18p-PA6-14] リモートプラズマを用いて形成したSiO₂/Ga₂O₃/GaN構造のPL特性

〇高田 昇治¹、田岡 紀之²、大田 晃生¹、山本 泰史^1,2、グェンスァン チュン^1,2、山田 永²、高橋 言緒²、池田 弥央¹、牧原 克典¹、清水 三聡^2,3、宮崎 誠一¹ (1.名大院工、2.産総研GaN-OIL、3.名大未来研)

キーワード：窒化ガリウム、フォトルミネッセンス、欠陥

SiドープされたGaN表面は、リモートプラズマによって酸化処理が施された。その酸化メカニズムや界面構造を理解するために、PL法を用いて特性評価を行った。測定結果より、UVピークの強度やピーク位置のフォトンエネルギーは酸化処理によって減少した。しかしながら、更にSiO₂膜を堆積させると酸化処理前の状態に近づいた。本研究の一部はNEDOの委託により実施された。