[18p-PA6-1~30] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[18p-PA6-15] XPSを用いたGaNエピ層表面および界面におけるGa酸化層の評価

〇松山 秀昭¹、上野 勝典¹、高島 信也¹、田中 亮¹、森 大輔¹、須田 裕貴¹、江戸 雅晴¹ (1.富士電機)

キーワード：半導体、GaN、XPS

前回、SiO2/GaN MOSFETにおいてその移動度が界面GaOx層の厚さに関係することを報告した。今回はこの界面層の厚さをXPSにより評価した。MOS作製工程の中でSiO2膜の成膜工程が界面層厚に最も影響することがわかった。