[18p-PA6-1~30] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[18p-PA6-18] Properties of SiO₂/InAlN interface having ultrathin Al₂O₃ interlayer (2)

〇(M2)Shouhei Kitajima¹, Masamichi Akazawa¹ (1.RCIQE, Hokkaido Univ)

Keywords:InAlN, interface state density

GaNに格子整合するInAlNは、GaN系HEMTのバリア材料として有望であるが、リーク電流が課題である。絶縁ゲートHEMTとすることでリーク電流の低減、さらには高い遮断周波数が達成されている。しかし、絶縁体－半導体界面の物性については未解明の部分が多い。本報告においては、SiO₂とInAlNの界面を、Al₂O₃超薄膜層により制御した構造に対して、界面における物性の評価を行った結果を報告する。