[18p-PA6-1~30] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[18p-PA6-18] Al₂O₃超薄膜膜介在層を有するSiO₂/InAlN界面の特性(2)

〇(M2)北嶋 翔平¹、赤澤 正道¹ (1.北大量子集積エレ研)

キーワード：InAlN、界面準位密度

GaNに格子整合するInAlNは、GaN系HEMTのバリア材料として有望であるが、リーク電流が課題である。絶縁ゲートHEMTとすることでリーク電流の低減、さらには高い遮断周波数が達成されている。しかし、絶縁体－半導体界面の物性については未解明の部分が多い。本報告においては、SiO₂とInAlNの界面を、Al₂O₃超薄膜層により制御した構造に対して、界面における物性の評価を行った結果を報告する。