[18p-PA6-1~30] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[18p-PA6-19] HfSiO_x絶縁膜を用いたn-GaN MOS キャパシタの高耐圧特性

〇前田 瑛里香^1,2、生田目 俊秀²、弓削 雅津也^1,2、廣瀨 雅史^1,2、井上 万里²、大井 暁彦²、池田 直樹²、塩崎 宏司³、大石 知司¹ (1.芝浦工大、2.物材機構、3.名古屋大)

キーワード：GaN、HfSiOx、パワーデバイス