[18p-PA6-1~30] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[18p-PA6-2] Impact of Dosage on Electrical Properties of Mg-Ion-Implanted GaN before High-Temperature Annealing

〇(M1)Ryo Kamoshida¹, Kei Uetake¹, Masamichi Akazawa¹ (1.RCIQE, Hokkaido Univ.)

Keywords:GaN, Ion Implantation

GaNデバイス作製プロセスにおいて、イオン注入技術が期待され、特にp型領域を形成するにはMgイオン注入が有効な手段となる可能性が高いが、未だ完成された技術とはなっていない。技術確立のためには、Mgイオン注入により、GaNバルク中および表面において発生する欠陥準位や表面準位について調べ、それらの熱的な振る舞いを理解していくことが重要である。本報告では、アクセプタ活性化アニールを施す前の段階において、Mgイオン打ち込みによりGaNの電気的特性についてどのような影響が生じるかを、ドーズ量を変えて調べた。