[18p-PA6-1~30] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[18p-PA6-21] 高圧水蒸気処理を用いたGaO_X層形成によるSiO₂/GaN界面の特性評価

〇安藤 領汰¹、上沼 睦典¹、古川 暢昭¹、Lin Tengda¹、石河 泰明¹、浦岡 行治¹ (1.奈良先端)

キーワード：高圧水蒸気処理、SiO2/GaN、GaOx

本研究では高圧水蒸気処理(High Pressure Water Vapor Annealing : HPWVA)を用いて低温でGaN表面に極薄GaO_X層を形成させた試料に対してMOS特性を評価した．