[18p-PA6-1~30] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[18p-PA6-22] 窒化物半導体デバイスに向けた表面波プラズマ励起化学気相堆積法によるシリコン系絶縁膜の検討

〇馬場 真人¹、岡田 浩¹、古川 雅一²、山根 啓輔¹、関口 寛人¹、若原 昭浩¹ (1.豊技大、2.アリエース･リサーチ)

キーワード：窒化物半導体、CVD、シリコン系絶縁膜