[18p-PA6-1~30] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[18p-PA6-29] Structure characterization of Al/Diamond bonding interface fabricated by surface activated bonding

〇(M1)Shinji Kanda¹, Shoji Yamajo¹, Martin Kuball², Naoteru Shigekawa¹, Jianbo Liang¹ (1.Osaka City Univ., 2.Univ. of Bristol)

Keywords:diamond, surface activated bonding, heat sink

ヒートシンクとして一般的に使われるAlと高い熱伝導率を有するダイヤモンドを直接接合することで、高い放熱性能を持つパワーデバイス構造の実現が期待される。表面活性化接合(SAB)法は、常温で格子定数や熱膨張係数の異なる材料の直接接合を可能にする。本研究では、多結晶ダイヤモンドとAlをSAB法により接合し、X線光電子分光でArビーム照射によるダイヤモンド表面への影響を評価した。