[18p-PA6-1~30] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[18p-PA6-29] 表面活性化接合法により作製したAl/ダイヤモンド接合界面の構造評価

〇(M1)神田 進司¹、山條 翔二¹、Martin Kuball²、重川 直輝¹、梁 剣波¹ (1.大阪市大院工、2.ブリストル大)

キーワード：ダイヤモンド、表面活性化接合法、ヒートシンク

ヒートシンクとして一般的に使われるAlと高い熱伝導率を有するダイヤモンドを直接接合することで、高い放熱性能を持つパワーデバイス構造の実現が期待される。表面活性化接合(SAB)法は、常温で格子定数や熱膨張係数の異なる材料の直接接合を可能にする。本研究では、多結晶ダイヤモンドとAlをSAB法により接合し、X線光電子分光でArビーム照射によるダイヤモンド表面への影響を評価した。