[18p-PA6-1~30] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[18p-PA6-3] Impact of Surface Treatment for GaN on Surface Fermi Level Position and Metal-Work-Function Dependence of Schottky Barrier Height

〇(M1)Kazuki Isobe¹, Masamichi Akazawa¹ (1.RCIQE, Hokkaido Univ.)

Keywords:GaN, surface treatment

GaN を用いたショットキー障壁ダイオードは、パワーエレクトロニクス素子として有用である。障壁高が金属の仕事関数や GaN の表面処理によりどのように変化するかを知ること により、デバイス設計の自由度拡大につながる可能性がある。本研究においては、フォトリソグ ラフィー工程を含む GaN 表面処理により、表面フェルミ準位の位置とショットキー障壁高の金属 仕事関数依存性がどのような影響を受けるかについて調べ報告する。