[18p-PA6-1~30] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[18p-PA6-4] 中性粒子ビームエッチングによりGaN表面に導入された損傷の界面顕微光応答法による2次元評価

〇塩島 謙次¹、末光 哲也²、尾崎 卓哉³、寒川 誠二³ (1.福井大院工、2.東北大集積セ、3.東北大流体研)

キーワード：GaN、中性ビームエッチング、界面顕微光応答法

損傷の少ない中性粒子ビームを用いたエッチングを行ったGaN表面を界面顕微光応答法で評価した。エッチング損傷を高感度に検出できることが示された。また、同じ深さ20 nmのエッチングでもICPより中性粒子ビームの方が損傷の少ないことも明らかとなった。