[18p-PA6-1~30] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[18p-PA6-6] Characterization of processed n-GaN surface using an electrochemical impedance spectroscopy

〇Kentaro Takeda¹, Masachika Toguchi¹, Taketomo Sato¹ (1.RCIQE,Hokkaido Univ.)

Keywords:gallium nitride, electrochemistry, in-situ characterization

これまでに、ドライエッチングによりn型GaN表面に導入された加工損傷を、溶液中の光電気化学（PEC）反応を利用して除去する手法を開発した。今回は、PECプロセスの効果を、溶液中でその場（in-situ）評価する手法について検討した。