The 79th JSAP Autumn Meeting, 2018

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13 Semiconductors » 13.4 Si wafer processing /Si based thin film /Interconnect technology/ MEMS/ Integration technology

[18p-PB2-1~7] 13.4 Si wafer processing /Si based thin film /Interconnect technology/ MEMS/ Integration technology

Tue. Sep 18, 2018 1:30 PM - 3:30 PM PB (Shirotori Hall)

1:30 PM - 3:30 PM

[18p-PB2-6] CNM fabrication temperature using supercritical fluid for LSI interconnects

Hikaru Sato1, Masatosh Ito1, Yoshio Uhara1, Shigeru Saito1 (1.Touri Univ.)

Keywords:supercritical fluid

我々は超臨界流体の低粘性・高拡散性に注目して、超臨界エタノールあるいは超臨界CO2により、LSI微細孔に直接CNMを作製する方法を提案した。今回、作製温度の低温化を試みた結果、超臨界エタノールを用いた方法ではTs=450℃、また超臨界CO2を用いた方法でTs=400℃で作製できることが明らかになったので報告する。