[18p-PB2-1~7] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[18p-PB2-6] 超臨界流体を用いたLSI配線のためのCNMの作製温度

〇佐藤 光¹、伊藤 勝利¹、宇原 祥夫¹、斉藤 茂¹ (1.東理大工)

キーワード：超臨界流体

我々は超臨界流体の低粘性・高拡散性に注目して、超臨界エタノールあるいは超臨界CO2により、LSI微細孔に直接CNMを作製する方法を提案した。今回、作製温度の低温化を試みた結果、超臨界エタノールを用いた方法ではTs=450℃、また超臨界CO2を用いた方法でTs=400℃で作製できることが明らかになったので報告する。