[18p-PB3-1~95] 17 Nanocarbon Technology (Poster)

[18p-PB3-52] Statistical analysis of electronic transport variability in h-BCN channel FET

〇Hiroto Shozude¹, Ogawa Matsuto¹, Souma Satofumi¹ (1.Kobe Univ.)

Keywords:graphene, variability, FET

近年グラフェンが電子移動度の高さからFETのチャネル材料として注目されているが、バンドギャップがないため電流のスイッチングできないという欠点がある。これに対する解決策として、グラフェン状物質のh-BCNにより適度なバンドギャップを作り出す事が期待されている。そこでh-BCNをチャネル材料としたFETの特性を明らかにすることを目的とし、強束縛近似法を用いたシミュレーションを行い、得られた電気伝導特性ばらつきを統計的に解析した。