[18p-PB3-1~95] 17 ナノカーボン（ポスター）

[18p-PB3-78] スパッタリング堆積法によるSnS2 膜作製とポストアニールの効果

〇林 賢二郎^1,2、片岡 真紗子¹、實宝 秀幸^1,2、大淵 真理^1,2、岩井 大介¹、佐藤 信太郎^1,2 (1.富士通研、2.富士通)

キーワード：金属カルコゲナイド、二硫化スズ、スパッタリング堆積

層状物質である金属カルコゲナイドは組成に応じた多様な性質を有することから、様々なデバ
イスへの応用が提案されている。今回、我々はスパッタリング堆積法を用いてSnS₂ 膜の作製を行い、膜質に対するポストアニールの影響を調べた。また、バックゲート型電界効果トランジスタを作製し、それを抵抗変化型のセンサーとし、ホルムアルデヒド暴露に対する動作検証も行った。