[18p-PB3-1~95] 17 ナノカーボン（ポスター）

[18p-PB3-91] CVD成長したWS₂原子層を用いた高移動度デバイス作製法の開発

〇(M1)上田 哲大¹、堀田 貴都¹、内山 揚介¹、宮田 耕充²、渡邊 賢司³、谷口 尚³、篠原 久典¹、北浦 良¹ (1.名大院理、2.首都大院理工、3.物材機構)

キーワード：遷移金属カルコゲナイド

遷移金属ダイカルコゲナイド(TMD)の原子層は3原子厚の極薄半導体であり、バルク物質とは異なる電磁応答を示す。化学気相成長(CVD)法によって合成したTMD原子層は、剥離法には無いメリットを持つ一方で、欠陥が多く低品質であるため高移動度デバイスには適していないとされてきた。本研究ではCVD合成した原子層(単層WS2)を対象に、独自の転写法を基盤とする新規手法によって高移動度デバイスの作製の実現を目指した。