[19a-131-1~11] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[19a-131-5] 波長可変THz波光源およびラマン散乱分光によるGaN結晶のキャリア密度評価
パワーデバイス用結晶の評価（XXX）

〇山本 秀和¹、本間 裕樹¹、小椋 夕紀¹、大野 誠吾^2,3、南出 泰亜²、伊藤 弘昌² (1.千葉工大工、2.理研、3.東北大学)

キーワード：窒化ガリウム、テラヘルツ波、ラマン散乱分光

ともに非破壊かつ局所測定が可能なTHz波を用いた測定およびラマン散乱分光測定により、GaN結晶のキャリア密度評価を実施し、比較した。結果として、デバイスとして実用的な範囲で良い相関が得られた。