[19a-146-1~12] 15.4 III-V-group nitride crystals

[19a-146-2] Proposal of GaN oxide-formed two-step wet-etching method

〇Yasuharu Kiyotou¹, Tetsuo Makie¹, Hiroshi Fujioka², Narihiko Maeda¹ (1.Tokyo University of Technology, 2.Institute of Industrial Science, the University of Tokyo)

Keywords:semiconductor

電気化学的手法を用いたGaNの陽極酸化と酸化物除去を組み合わせた2段階ウェットエッチング法というGaNの新規のエッチング方法を提案する。