[19a-146-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

[19a-146-3] AlGaN系材料に対するTMAHウェットエッチングのAlNモル分率依存性

〇(M1)安江 信次¹、佐藤 恒輔^1,3、川瀬 雄太¹、池田 隼也¹、櫻木 勇介¹、岩山 章¹、岩谷 素顕¹、上山 智¹、竹内 哲也¹、赤崎 勇^1,2 (1.名城大理工、2.名大赤崎記念研、3.旭化成)

キーワード：半導体、ウェットエッチング