[19a-224A-1~8] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[19a-224A-8] c面サファイアoff基板を用いたc-In₂O₃(111)単結晶のHVPE成長

〇長井 研太¹、中畑 秀利¹、小西 敬太¹、Plamen P. Paskov²、Bo Monemar^2,3、熊谷 義直^1,3 (1.東京農工大院工、2.リンチョーピン大、3.東京農工大GIR)

キーワード：結晶成長、ハライド気相成長、酸化インジウム