2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

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[19a-224B-1~10] 17.1 カーボンナノチューブ,他のナノカーボン材料

2018年9月19日(水) 09:00 〜 11:45 224B (224-2)

田中 丈士(産総研)

10:45 〜 11:00

[19a-224B-7] プラズマパラメータ制御による(6,4)単層カーボンナノチューブの高純度化

志摩 拓哉1、許 斌1、金子 俊郎1、加藤 俊顕1,2 (1.東北大院工、2.JSTさきがけ)

キーワード:単層カーボンナノチューブ、カイラリティ制御、プラズマCVD

我々は,ナノスケール触媒の表面状態制御による手法により(6,4)SWNTsの高純度合成に世界で初めて成功した.本研究では(6,4)SWNTsの合成純度とプラズマCVD条件の相関に着目し実験を行った.その結果,プラズマ生成電力の変化により(6,4)SWNTsの純度がこれまでの最大値である57%から,最大64%まで向上させることに成功した.これはプラズマ中活性種等が影響していると考えられる.