[19a-233-1~11] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[19a-233-3] エピタキシャルHfGe₂/Ge接合の形成と結晶構造および電気伝導特性

〇千賀 一輝¹、中塚 理^1,2、鈴木 陽洋^1,3、坂下 満男¹、財満 鎭明^1,4 (1.名古屋大院工、2.名古屋大未来研、3.学振特別研究員、4.名古屋大未来社会創造機構)

キーワード：コンタクト、HfGe