[19a-233-1~11] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

△ [19a-233-4] Si-IGBTプロセスによるFZ-Siの少数キャリアライフタイムへの影響評価-II-

〇(M2)小林 弘人¹、横川 凌^1,2、木下 晃輔¹、沼沢 陽一郎¹、小掠 厚志¹、西澤 伸一³、更屋 拓也⁴、伊藤 一夫⁴、高倉 俊彦⁴、鈴木 慎一⁴、福井 宗利⁴、竹内 潔⁴、平本 俊郎⁴ (1.明治大理工、2.学振特別研究員、3.九州大工、4.東京大工)

キーワード：Si絶縁ゲートバイポーラトランジスタ、ライフタイム、シリコン

Si-IGBT製造工程において、ゲート酸化後のプロセス温度の高い主工程としては、Bベース層およびPエミッタ層の活性化処理がある。我々は前回、ゲート酸化工程によりSi/SiO₂界面に界面準位が発生し、キャリアライフタイムを低下させることを報告した。今回はゲート酸化後に上記活性化処理工程を経た基板を光導電率減衰測定およびC-V測定により評価し、活性化処理により界面準位等の特性が変化することを見出したので報告する