[19a-233-1~11] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[19a-233-8] 中空構造 SOI 層を用いた高効率低温転写技術のための リソグラフィプロセスの構築

〇(M1)平野 友貴¹、東 清一郎¹ (1.広大院先端研)

キーワード：フレキシブル

我々は高い移動度、高い信頼性、そして CMOS 回路の形成が可能な単結晶シリコン (c-Si) 膜 をフレキシブル基板上へ局所的に低温転写する技術を報告してきた。不純物濃度によりSiO2のエッチング速度 が変化することに注目し、テーパー形状の極微細SiO2柱を均一に作製するセルフリミットプロセス により高い転写率を報告している。本研究では電子線露光装置とマスクレス露光装置を組み合わせ高スループット・高転写歩留まりプロセスの構築を試みた。