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[19a-234B-4] Si (100)基板上への配向VO2薄膜の成長 ― 初期過酸化相成長後の基板バイアス印加スパッタ成膜法 ―
キーワード：二酸化バナジウム、シリコン、スパッタ
二酸化バナジウム(VO2)は68℃付近で4~5桁の抵抗値変化が生じるため, Si基板上へ成膜して, CTRサーミスタや光変調器といった応用が期待できる. しかし, VO2と格子整合を有しないSi基板上への堆積では配向成長しないため, 急峻で大きな抵抗値変化を得ることは難しい. 本研究では基板バイアス印加スパッタ法において, 過酸化相成長後に基板バイアスを印加して成膜することでSi基板上VO2薄膜の(011)配向成長を観測し, 急峻な3桁近い抵抗値変化が得られたので報告する.