2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[19a-436-1~8] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

2018年9月19日(水) 09:30 〜 11:45 436 (436)

末益 崇(筑波大)、立岡 浩一(静岡大)

09:45 〜 10:00

[19a-436-2] 不活性ガス雰囲気下での熱処理を用いたMg2Si薄膜の合成と膜質評価

堀場 一成1、藤原 道信1、中川 慶彦1、後藤 和泰1、黒川 康良1、伊藤 孝至1、宇佐美 徳隆1 (1.名大院工)

キーワード:マグネシウムシリサイド、熱電材料

Mg2Siはn型熱電材料として有望であるが、Mg2Si薄膜の作製法であるスパッタリング法はコストがかかる。本研究では、Mg膜をSi基板上に堆積した試料及びMgリボンをSi基板に固定した試料の不活性ガス雰囲気中熱処理にてMg2Si薄膜を作製し膜質の差を調査した。測定の結果、いずれの試料でも多結晶Mg2Siの形成と一部の{100}配向が確認され、酸化の有無の差が確認された。蒸着を用いた手法は酸化の防止、リボンを用いた手法は膜厚の制御が課題となる。