[19a-PA4-1~13] 3.7 レーザープロセシング

[19a-PA4-10] SiCパワーデバイス製造用レーザードーピングシステムの開発

〇菊地 俊文^1,2、妹川 要^1,2、池田 晃裕³、中村 大輔¹、浅野 種正¹、池上 浩^1,2 (1.九大シス情、2.九大ｷﾞｶﾞﾌｫﾄﾝ共同部門、3.崇城大学 情報学科)

キーワード：4H-SiC、パワーデバイス、レーザーアブレーション

4H-SiCはワイドバンドギャップ半導体であり，優れた材料物性を有したデバイス材料である．我々は， 4H-SiC基板上にドーパントとなる不純物を含んだ膜を形成し不活性ガス雰囲気中にてレーザーアブレーションすることで不純物が拡散されることを示してきた．今回， レーザーパルス波形を制御するOptical Pulse Stretcher(OPS)を新たに備え、レーザードーピングに対するパルス形状依存性の検証を行った。