2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.7 結晶評価,不純物・結晶欠陥

[19p-131-1~15] 15.7 結晶評価,不純物・結晶欠陥

2018年9月19日(水) 13:30 〜 17:45 131 (131+132)

沓掛 健太朗(名大)、太子 敏則(信州大)、清水 康雄(東北大)

17:00 〜 17:15

[19p-131-13] シリコン結晶の高感度赤外吸収と赤外欠陥動力学 (13)低濃度窒素の挙動と測定

井上 直久1,2、川又 修一2 (1.東京農工大学、2.大阪府立大学)

キーワード:シリコン結晶、窒素点欠陥複合体、赤外吸収

我々はCZシリコン結晶の窒素濃度の赤外吸収、SIMS、放射化分析法の交互測定により測定法規格を制定した。しかし濃度が10^14atoms/cm^3以下では窒素はNO対を形成しNN対による赤外測定は不可能になる。そこでNO対による赤外吸収を探索した。NN対や酸素関連の吸収を消去することにより、NO, NOO, NOO2, ONOによる吸収を見つけ同定した。これらの和により低濃度における測定を可能にした。