[19p-131-1~15] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[19p-131-4] 極低酸素・窒素ドープCzシリコン単結晶の酸素析出挙動

〇梶原 薫¹、原田 和浩¹、鳥越 和尚¹、宝来 正隆¹ (1.株式会社SUMCO)

キーワード：シリコン、酸素析出、窒素

チョクラルスキー(Cz)法によって育成した、極低酸素濃度(3.5×10¹⁷ /cm³)・窒素ドープシリコン単結晶の熱処理後の酸素析出挙動を調査した。その結果、この酸素濃度においては、熱処理後においても酸素析出物が発生しないことが分かった。これは、As-grownで酸素析出核が存在しないか、もしくは存在していても極低酸素濃度であるために熱処理で容易に消失したと考えられる。この酸素濃度の窒素ドープCz結晶は低コストIGBT基板としての活用が期待される。