[19p-131-1~15] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[19p-131-6] Si ウェーハの傷から発生するSlip 転位に及ぼすひずみ速度の影響

〇藤瀬 淳¹、小野 敏昭¹ (1.SUMCO)

キーワード：シリコン、転位、応力

無転位結晶であるSiウェーハに傷が導入されて,それを起点に転位が移動を開始する応力である臨界応力のひずみ速度依存性は明らかにされていない．そこで,高温3点曲げ試験で,ひずみ速度を変化させて実験を行った．実験にて,ひずみ速度が上昇する事で臨界応力は上昇することがわかった．実験結果を定式化し,熱処理条件の変化に伴うひずみ速度の影響を考慮した臨界応力を算出できるようになった．