[19p-146-1~22] 15.4 III-V族窒化物結晶

[19p-146-14] アンモニアフリー有機金属気相成長法における高温AlN成長

〇沈 旭強¹、児島 一聡¹、清水 三聡¹、奥村 元¹ (1.産総研)

キーワード：窒化物

窒化物半導体は次世帯光デバイスや電子デバイス用材料として大きく期待されている。その中にAlNが紫外領域発光デバイス及びパワーデバイスの応用に非常に重要である。今回、我々はアンモニアフリー有機金属気相成長法(AF-MOVPE)を開発し、それを用い、サファイア基板上にAlN薄膜の高温成長に成功したので、その結果を報告する。