[19p-146-1~22] 15.4 III-V-group nitride crystals

[19p-146-15] Fabrication of high aspect GaN structures by hydrogen atmosphere anisotropic thermal etching(HEATE) method with addition of ammonia gas.

〇Yusei Kawasaki¹, Akihiro Matsuoka¹, Yusuke Namae¹, Yuki Ooe¹, Daichi Ito¹, Yuta Moriya¹, Akihiko Kikuchi^1,2 (1.Sophia Univ., 2.Sophia Nanotechnology)

Keywords:nano structure, Gallium Nitride, eatching

窒化物半導体ナノ構造は、歪緩和効果や貫通転移効果、発光効率の向上、高光取出し効率、光電子デバイスの高性能化、高機能化をもたらすことが期待される。我々は、これまでにGaNの熱分解反応を利用した水素雰囲気異方性熱エッチング(HEATE)法を提案し、GaNナノ構造の形成やアンモニアガス添加効果について報告してきた。本稿では、アンモニアガス添加効果による高アスペクトナノ構造について報告する。