17:15 〜 17:30 [19p-146-15] 水素雰囲気異方性熱エッチング(HEATE)法におけるアンモニア添加を利用した高アスペクトp-GaN ナノ構造の作製 〇川崎 祐生1、松岡 明裕1、生江 祐介1、大江 優輝1、伊藤 大智1、森谷 祐太1、菊池 昭彦1,2 (1.上智大理工、2.上智大ナノテクセンター)