[19p-146-1~22] 15.4 III-V族窒化物結晶

[19p-146-15] 水素雰囲気異方性熱エッチング(HEATE)法におけるアンモニア添加を利用した高アスペクトp-GaN ナノ構造の作製

〇川崎 祐生¹、松岡 明裕¹、生江 祐介¹、大江 優輝¹、伊藤 大智¹、森谷 祐太¹、菊池 昭彦^1,2 (1.上智大理工、2.上智大ナノテクセンター)

キーワード：ナノ構造、GaN、エッチング

窒化物半導体ナノ構造は、歪緩和効果や貫通転移効果、発光効率の向上、高光取出し効率、光電子デバイスの高性能化、高機能化をもたらすことが期待される。我々は、これまでにGaNの熱分解反応を利用した水素雰囲気異方性熱エッチング(HEATE)法を提案し、GaNナノ構造の形成やアンモニアガス添加効果について報告してきた。本稿では、アンモニアガス添加効果による高アスペクトナノ構造について報告する。