The 79th JSAP Autumn Meeting, 2018

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Oral presentation

9 Applied Materials Science » 9.2 Nanowires and Nanoparticles

[19p-221A-1~18] 9.2 Nanowires and Nanoparticles

Wed. Sep 19, 2018 1:15 PM - 6:15 PM 221A (221-1)

Kazuki Nagashima(Kyushu Univ.), Fumitaro Ishikawa(Ehime Univ.)

4:45 PM - 5:00 PM

[19p-221A-13] Dual Impact of Impurity on Crystal Growth Interface and Electrical Homogeneity of Metal Oxide Nanowires in Vapor-Liquid-Solid Process

Zetao Zhu1, Tsunaki Takahashi1, Takuro Hosomi1, Kazuki Nagashima1, 〇Takeshi Yanagida1 (1.IMCE Kyushu Univ.)

Keywords:Oxide nanowire

VLS結晶成長を介して形成される酸化物ナノワイヤ構造体において、不純物ドーピングを空間設計することは一般的に困難である。これは、(1)金属触媒の存在、(2)結晶成長に二つの異なる界面’(VSとLS)が介在していることに起因していると考えられている。特に、金属酸化物ナノワイヤにおいては、意図しない不純物ドーピングがVS界面を介して主に導入されていることが2017年にAnzaiらによって明らかにされている。更なる金属酸化物ナノワイヤの物性制御の為には、不純物ドーピングを設計する必要性があるが、現状ではその複雑な結晶成長プロセスの為に困難な状況にある。そこで、本発表ではVLS結晶成長プロセスを介して形成されるSnO2ナノワイヤにSbを意図的に不純物ドーピングした系を取り上げ、その影響を系統的に検討した。