[19p-221A-1~18] 9.2 ナノワイヤ・ナノ粒子

[19p-221A-6] InP/InAsPナノワイヤLEDの電流注入発光特性評価

〇赤松 知弥¹、亀田 滉貴¹、佐々木 正尋¹、冨岡 克広¹、本久 順一¹ (1.北大院情報科学研究科および量子集積センター)

キーワード：ナノワイヤ、III-V族化合物半導体、発光ダイオード

次世代通信方式として研究が進められている量子暗号通信の実現には、発光源として単一光子源が必要不可欠であり、単一光子源の実現には量子ドットの利用が考えられる。本研究では単一光子源の実現に向けて、i層中にInAsP層を埋め込んだ縦型p-i-n構造を有するInPナノワイヤをMOVPE法によって成長させた。また、ナノワイヤアレイによる縦型LEDの作製および電流注入発光特性の評価を行い、近赤外域でInAsP層からの電流注入発光を確認した。