[19p-224A-1~8] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[19p-224A-3] Hot-wire hydrogenation for In-Sn-Zn-O and improvement of the TFT reliability

〇(M2)Toshiki Yanagisawa¹, Yuta Someya¹, Kousaku Shimizu¹ (1.Nihon Univ.)

Keywords:oxide semiconductors

酸化物TFTのNBIS（Negative Bias Illumination Stress）信頼性について検討している。これまでRCPM（Reflection Constant Photocurrent Method）の評価では、NBISと伝導帯下約1.5 eVの欠陥準位が顕著な相関を持っていることを明らかにしてきた。特にVtシフトやサブスレッショルドスイングと相関のも確認されている。今回は、酸化物TFTの性能低下の原因の一つであるバックチャネル側の欠陥準位に着目し、RCPMによる評価をした。RFマグネトロンスパッタリング法にてTFT素子を作製し、バックチャネル側の界面に水素化・酸素化を行う。RCPMによる欠陥準位の評価、及び水素化による影響を検討した。