[19p-224A-1~8] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[19p-224A-4] トップゲート型a-IGZO TFTにおけるハンプ現象

〇桑原 祐也¹、竹知 和重¹、田中 淳¹ (1.天馬ジャパン)

キーワード：酸化物半導体、IGZO、不安定性

トップゲート型a-IGZO TFTへの正ゲートバイアス電圧ストレスによるハンプ現象に対し，TFTの形状依存性を調査した。その結果，ストレス印加後に長方形のTFTではハンプが生じるのに対し，環状のTFTでは観測されなかった。この結果は，ハンプがTFTのW方向の端領域に存在する寄生TFTに由来するモデル支持する。