[19p-231A-1~8] 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

△ [19p-231A-3] 不揮発性メモリ用遷移金属相変化材料の電子構造の解明

〇齊藤 雄太¹、須藤 祐司²、フォンス ポール¹、コロボフ アレクサンダー¹、進藤 怜史³、畑山 祥吾²、雙 逸²、コジーナ ゼニア⁴、スケルトン ジョナサン⁵、小林 啓介⁶ (1.産総研ナノエレ、2.東北大工、3.東北大工(現:長岡技科大)、4.ヘルムホルツ研、5.バース大、6.JASRI)

キーワード：相変化材料、電子構造、カルコゲナイド

高耐熱性を有する遷移金属を含むカルコゲナイド相変化材料(Cu₂GeTe₃)の電子構造を解明する目的で、放射光用いた硬X線硬電子分光測定と第一原理計算を行った。その結果、アモルファス-結晶の相変化過程で遷移金属のd電子が化学結合や電子構造変化に重要な影響を与えていることを明らかにし、相変化材料探索の新たな指針を示すことができた