[19p-231A-1~8] 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

[19p-231A-6] 気相法によるGeTeナノワイヤの結晶成長

〇(M2)中谷 和希¹、今西 祐典¹、山口 瑛太¹、中岡 俊裕¹ (1.上智理工)

キーワード：ナノワイヤ、ゲルマテルル

GeTeナノワイヤは相変化メモリなどのデバイス特性向上をもたらすものと期待できる。Ag-GeTeナノワイヤは抵抗変化メモリ、TAGS系熱電材料であるAg-GeTe系ナノワイヤへの利用が期待されている。我々はAgナノ粒子分散液を散布したものを触媒とし、ロンボへドラル型GeTe結晶からなるナノワイヤの成長を報告してきた。本研究では、EB蒸着やスパッタリング蒸着によるAgを触媒とするナノワイヤの成長を観測したのでこれを報告する。