The 79th JSAP Autumn Meeting, 2018

Presentation information

Print

Oral presentation

16 Amorphous and Microcrystalline Materials » 16.1 Fundamental properties, evaluation, process and devices in disordered materials

[19p-231A-1~8] 16.1 Fundamental properties, evaluation, process and devices in disordered materials

Wed. Sep 19, 2018 1:15 PM - 3:30 PM 231A (231-1)

Tamihiro Gotoh(Gunma Univ.), Norimitsu Yoshida(Gifu Univ.)

3:00 PM - 3:15 PM

[19p-231A-7] Real-time resistance measurement of gamma-ray irradiation on Ge-(Sb)-Te thin films

〇(M1)Hyoseong Park1, Isao Yoda2, Shigeo Kawasaki3, Toshihiro Nakaoka1 (1.Sophia Univ., 2.Tokyo Tech, 3.JAXA)

Keywords:Ge-Sb-Te, Gamma-ray, Photodoping

Ge-(Sb)-Te薄膜は代表的な相変化材料であり，相変化メモリなどの応用に向け活発に研究されている。γ線照射による明瞭なAgの異常拡散，及び不可逆な抵抗変化を報告の中、本研究ではRFスパッタリングにより、Ge-(Sb)-Te膜厚の上にEB蒸着によりAg/Ti/Au電極を作製した。γ線照射によるリアルタイム抵抗測定を行い，可逆，不可逆双方の成分が存在すること見出したので報告する。